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第四百一十章 SiGe BiCMOS（第1页）

三天的闭门会谈过后，双方一直决定，开阳半导体接受来自苏联首批五十位技术人员的访问学习。

并且这五十人也是有要求，必须要从苏联各大半导体电子产业相关单位分别抽调，来自同一家单位的技术人员不能超过五人以上，这是最基本要求。

闭门会谈过后，双方进入到第二轮高峰论坛，就软件开发、半导体无线通讯等领域展开互相了解，增进双方技术互信。

孟怀英这时候终于能够抽出时间，之前她都在CMOS无线射频芯片的设计方面埋头工作，经过为期三年时间的艰苦攻关，这才初步解决CMOS射频芯片所存在的问题。

用于中文传呼机使用的射频芯片设计已经全面冻结，正准备交付工艺部门进行产品批产工艺相关设计。

CMOS射频芯片和CMOS光学传感器的影响力大致差不多，都是能够对某一行业产生巨大变革的技术，孟怀英现在很自信，他可以站在中苏半导体集成电路高峰论坛上，尽情地演讲自己科研成果。

......

然而并不是所有人都看好CMOS射频芯片，至少在来自苏联的代表团当中，便有一位莫斯科国立特种工程设计院的大佬，人家是专门研究无线通讯这方面，目前属于全球顶尖梯队。

世界上最先发明无线电话的，实际并非美国人，早在1957年，苏联工程师列昂尼德.库普里扬诺维奇发明了ЛК-1移动电话。

1958年，列昂尼德.库普里扬诺维奇对移动电话做了进一步改进，设备重量从3公斤减轻至500克（含电池重量），外形精简至两个香烟盒大小，可向城市里的任何地方进行拨打，可接通任意一个固定电话。到60年中期，库普里扬诺维奇的移动电话已能够在200公里范围内有效工作。

苏联大规模普及的移动通讯设备称之为“阿尔泰”，在布鲁塞尔世博会上获得金奖，到1970年，“阿尔泰”系统已在30多个城市中为人们普及，比起美国人确实要强了太多。

国内有庞大的无线通讯市场，苏联在移动电话领域走在世界最前沿，人家有资格提出疑问。

“这位女士，既然你从事射频芯片研发，并且也提到要将射频芯片主要服务于无线通讯市场，那么我有一个问题很疑惑，CMOS射频芯片功率过低的问题，您要如何解决？”

毛子说话很直接，直接提到当前最不好解决的问题上，而这同样也是国际难题。

如同当年白斯文教授开发CMOS光学传感器过程中遇到暗电流噪声问题一样，后来教授通过一系列工艺设计来巧妙解决，并最终推出高性价比的CMOS光学传感器，从此一举奠定学术大牛地位。

现如今，孟怀英开发CMOS射频芯片，也遇到学术界公认的固有缺陷：功率过低。

“基于CMOS工艺来研发射频芯片，固有问题在于功率过小，它确实无法和同时期的砷化镓射频芯片相比，目前横亘在全世界科研界面前头等难题便在于此，不过我们团队成功开发出一次CMOS混合结构，从而能够解决功率过小问题，使其可以初步满足中低功率微波射频所需。”

所谓CMOS混合结构，实际就是SiGeBiCMOS工艺，中文全称为：硅锗双极-互补金属氧化物半导体，这东西在功率上面相对还算勉强能接受，并且还完美继承CMOS工艺加工流程，成本也足够低廉，是一种很不错的半导体射频工艺技术。

SiGeBiCMOS工艺产品性能优点在于成本低，并且功率相对不错，甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代，一些不法分子以次充好，为了降低成本，便采用SiGeBiCMOS工艺TR组件来制造相控阵雷达。

好吧，这只是开个玩笑而已，采用采用SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件功耗低、成本低、集成度高，被广泛用于TR组件小型化和成本控制方面，其中以X波段相控阵雷达最有使用价值。

SiGeBiCMOS工艺的TR组件不仅适用于X波段相控阵空天预警雷达，在Ka波段的TR组件方面，因为集成度高、体积小，因此被运用于主动雷达导引头。

所谓主动雷达导引头，区别就在于美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之间，前者因为导引头研发时代的工艺水平限制，无法容纳雷达发射机及接收机，即便勉强上马，这种导引头最终也只能用于AIM-54上面。

直到固态电子及集成电路出现，雷达组件可以有望实现小型化，才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办，而这便是主动雷达导引头的作用。

美帝有了小型化的主动雷达导引头，所以搞出AIM-120这种神器，而共和国现在却只能捣鼓AIM-7家族改进而来的半主动雷达导引头：霹雳11。

这两种导弹之间有巨大地差距，要说这种代差，大概跟三代机与四代隐身机之间差不多，完全是吊打。

所以嘛....

有的时候，军用和民用之间差距真的很小，孟怀英原本只是为了实现CMOS射频芯片功率大，才弄出SiGeBiCMOS工艺，却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。

在孟怀英的SiGeBiCMOS工艺成功之际，由于当时射频芯片在607所的微波暗室进行测试，结果出来之后，便被607所大神们敏锐地发现其军用价值，这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。

主动雷达导引头发展历中，实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。

九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制，那时候是传统的“机扫-平板缝隙天线”雷达小型化而来，包括美国AIM-120、欧洲流星，以上这些皆如此。

相控阵主动雷达导引头，那都是在2000年之后才有所抬头，此时的砷化镓TR组件小型化逐渐成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他们研制于2002年AAM-4B中距弹就采用相控阵主动导引头。

AAM-4B采用有源相控阵主动导引头，能够提高探测距离、抗干扰、在对一些雷达隐身目标的探测能力也还不错，这实用化速度甚至比他美爹都来的更快。

现在九十年代初期，607所要准备上马相控阵雷达主动导引头，汪正国也能表示：你们高兴便好。

上位面之所以是在2000年之后才开始有主动相控阵雷达头，是因为早期“机扫-平板缝隙天线”主动导引头发展足够成熟，毕竟那是美帝AIM-120证明过的道路，后来者也都争相效仿。

再有一点，砷化镓TR组件的小型化一直到2000年之后才逐渐成熟，并且还要把成本控制下去，否则又如何能用于空空导弹这种一次性产品中。

至于现在，随着孟怀英提出SiGeBiCMOS工艺，一次性解决了生产成本和小型化两个问题，唯一不足之处是功率方面还是比不上砷化镓TR组件。

但很多问题都要一分为二的看待，如果不和砷化镓TR组件去比功率，转而和同时期的AIM-120、流星这些采用“机扫-平板缝隙天线”导引头相比，这两者功率其实相差不大。

国内目前才刚把半主动雷达导引头的课补上，主动雷达导引头技术完全还没想过，更不用说从别处去找技术参考。

607所在相控阵雷达上面有技术积累，现在正好找到比较合适的新型半导体工艺来生产适用于弹载导引头的TR组件，那为什么不能直接走相控路线？

随着国内半导体加工精度不断提高，采用SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件也会进一步增加功率，纵然无法跟采用砷化镓TR组件的主动雷达导引头相比，但只要能和同期一票“机扫-平板缝隙天线”持平便够了，况且SiGeBiCMOS工艺制造的TR组件成本也能够得到有效控制。

只要拿出的产品性能可以和同时期国际水平相当，价格不比它们贵，至于采用什么技术路线，这有太大关系吗？

霹雳11导弹被魔都航天局这个航天口单位抢走，自此以后，航空系统内部就断了中距弹项目，如果607所能率先搞出主动雷达导引头，相信以航空口的魄力，还不得马上全力支持，必须夺回中距空空弹市场，毕竟国内最强大的空空导弹研制力量依旧还是在航空口。

至于魔都航天局，那不过是正好趁着霹雳11项目引进意大利技术而弄出来的项目，顶多是半路出家，而能生产空空导弹和能研制空空导弹，这是完全是不同概念。

按照607那边所言，他们已经联合014空空导弹研究院，双方打算开始对下一代中距离空空导弹项目展开预研，准备弄一款能同美制AIM120对抗的大家伙出来，彻底将魔都航天口妄想把爪子伸进空空导弹领域的邪念斩断。

有关607所和空空导弹研究院的野望，这并不是汪正国所关心，孟怀英虽然隐约猜到607所得到SiGeBiCMOS工艺技术之后会将其用于军工，但还是把工艺资料复制转交一份，得到607所承诺1500万人民币技术引进资金。

没办法，现在607所民品项目大火，为瑶光电子配套的电脑主板性能也不错，价格公道，每年盈利上亿，现在可是中航系统内数得着的土豪。

有了第一笔收益，CMOS射频芯片项目部可谓兴高采烈，孟怀英除了拿出50万奖励研发团队，所余资金则是再次被投入项目科研中。

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